近段时间，除了聚焦海外“疫情”，三星、美光等128层的3D NAND技术发展备受关注。从2013年的24层3D NAND，发展到如今的128层，甚至有业界人士预计在未来5年内，3D NAND堆叠层数将达到500层，10年内将可达到1000层。3D NAND层数越来越高，对存储技术的发展的有什么作用？对闪存、SSD的又会有什么样的影响？
要聊3D NAND闪存价值，宏旺半导体带大家快速回顾一下NAND的发展史。NAND是非易失性闪存存储器，所谓的非易失性可以简单的理解为——在断电的情况下数据不会丢失，会保持长期的存储。
就像机械硬盘提高容量密度主要靠增加碟数一样，增加堆栈的层数，也是NAND闪存提高密度的主要手段。随着人们需求的不断增加，受到有限宽度和长度尺寸内容纳存储器单元的限制。2D NAND容量已达到其开发的极限，利用2D NAND很难在SSD容量方面上继续增加。于是，3D NAND应运而生。3D NAND可带来更好的性能，更低的成本以及更高的密度。
![3D NAND层数5年内将达到500层？宏旺半导体一文分析3D NAND的发展及用处]( "3D NAND层数5年内将达到500层？宏旺半导体一文分析3D NAND的发展及用处")
据宏旺半导体了解，3D NAND技术在现在广泛被使用，其设计与2D NAND 相反，储存器单元不在一个平面内，而是一个堆叠在另一个层之上，以这种方式每颗晶片的储存容量可以显著增加，而不必增加晶片面积或者缩细单元，使用3D NAND 可以实现更大的结构和单元间隙，这有利于增加产品的耐用性。
但是，3D NAND技术也意味着，增加存储空间就需要不断的增加堆叠层数。而层数的增加也意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到更高的层数堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm，每层厚度减少到60nm，而到了140+层，堆叠厚度将增至大约8微米，每对堆叠层则必须压缩到45-50nm，每升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍，而层厚度会变成原来的0.86倍。
3D NAND闪存带来的最直接的价值，就是能够提供容量的更大的闪存给用户使用，近几年来许多大厂纷纷投入3D NAND的研发。当然，3D NAND也有着自己的劣势，随着先进的工艺带来的更大的容量，3D NAND的可靠性和稳定性以及性能方面都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就需要采取额外手段弥补这一问题，这必然会提高成本。
堆叠层数的提高，毫无疑问将实现容量的提高以及单位成本的降低，也会在很大程度上对NAND闪存的价格产生影响。长期来看，闪存降价似乎是必然的。但由于疫情的影响，尽管消费级产品的需求出现疲软，一些品牌的SSD产品价格已经开始下降，但因为供不应求，总体来说闪存价格还是一直在持续上涨。
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在这样的背景下，以宏旺半导体为代表的民族企业，加大研发投入，坚持自主创新，在嵌入式存储的基础之上，2.5寸、mSATA、M.2 NGFF 、M.2 NVME等不同的SSD，覆盖SATA、PCIe两种主流接口，产品具有高速低耗、抗震稳定、FW更新、PCIe BGA等优点，并且能响应专属的客制化需求，力争在产能供应保障上获得自身的优势。从目前NAND Flash出货容量来看，存在巨大成长空间。尽管国产厂商NAND技术与国际厂商还存在差距，但国产存储器企业也一直都在进步。