这段时间，陆续有多家手机厂商搭载UFS 3.1，引发了网友对这一闪存的广泛讨论。UFS 3.0和UFS 3.1有什么区别？进入5G时代后，UFS2.1是不是要被淘汰了？
UFS 3.1是在UFS 3.0的基础上进一步带来了性能、功耗、成本等方面的进一步优化。宏旺半导体了解到，相较于UFS 3.0，UFS 3.1主要加入了三个新特性写入增强器(Write Turbo)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能限制通知(Performance Throttling Notification)。除了以上三大特性外，还有主机性能提升器（Host Performance Booster）也是值得关注的点。
写入增强器(Write Turbo)
写入增强器(Write Turbo)从字面意思就能理解，就是提升UFS的顺序写入速度，写入增强器的特性会将UFS 3.0原本最高为500MB/s的顺序写入提升至700MB/s。
Write Turbo原理本质是UFS 3.1闪存内部有一块高速缓存区，工作的时候以较高的速度去接收文件，等到闪存写入工作不繁重的时候再将写入的文件从缓存区转到普通闪存区。
深度睡眠(Deep Sleep)
深度睡眠(Deep Sleep)是让在UFS 3.0基础上对于功耗的优化。旨在让闪存在空闲的时间段进入低功耗睡眠状态，确保闪存在睡眠状态下降低功耗，这种模式相较于UFS 3.0的hibernate模式能够有更好的功耗控制。
性能限制通知(Performance Throttling Notification)则是因为某些情况导致存储性能受到影响时，及时通知主机有关性能限制的信息，特别会在设备过热时通知系统限制读写性能以降低闪存温度。简而言之，这是在闪存中加入了根据外部环境实时反馈的控制中心。
主机性能提升器（Host Performance Booster）
也是UFS 3.1非常重要的提升点。这项功能旨在长久性解决手机越用越卡的问题。手机越用越卡的核心原因是长时间频繁使用闪存导致闪存硬件性能下滑，反应的最后结果是闪存读写性能下滑。而HPB则是利用手机RAM来缓解闪存的硬件压力，提升性能，解决闪存长时间时候后性能衰减的问题，解决手机越用越卡的问题。
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以实测一款手机为例，UFS3.0的顺序读取速度达 1478MB/s，比 UFS 2.1 提升 90% ，顺序写入速度更是提升 160%。但是，我们知道的是UFS3.1比UFS3.0的优势又有所提升，依然是同一部手机，UFS3.1比UFS3.0的顺序读取速度提升 16.1%，顺序写入速度更是提升 37.4%。因此，我们能够明显的感觉到，UFS3.1读取文件或者写入文件的速度确实更快了。
虽然目前因为5G的发展，UFS3.1\3.0大有成为5G旗舰手机闪存的标配，但是，5G旗舰手机要全部替代现有的手机还仍需要很长的时间，所以目前双通道的UFS2.x凑依然是不错的选择。
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宏旺半导体ICMAX作为专业的存储品牌，推出的UFS采用串行数据传输技术，以及全双工运行模式，同一条通道允许读写传输，而且读写能够同时进行，而带宽已达1.5GB/s以上，传输效率有效提高，是现在很多手机闪存的选择。